半导体企业竞争发展高度集成发光二极体(LED)照明驱动

半导体企业竞争发展高度集成发光二极体（led）照明驱动IC方案。高压金属氧化物半导体场效电晶（MOSFET）产能紧，LED照明系统供应商正面临交货延迟的困境，因此晶片供应商正在加快发布高压集成MOSFET的LED照明驱动IC方案，让LED照明系统客户免于高压MOSFET缺货之苦。

恩智浦区域市场总监王永斌表示，调光和非调光LED驱动IC和LED所有灯具的谐振控制器都需要高压MOSFET，因此，恩智浦将通过高整合LED驱动IC该计划确保客户掌握货源。

恩智浦（NXP）区域市场总监王永斌表示，2013年LED照明市场将更加蓬勃发展，但目前LED照明系统开发商是因为高压MOSFET严重缺货，陷入订单多却无法发货的困境，很难在市场上大施拳脚。

避免高压MOSFET供应不足影响市场扩张进度，包括恩智浦和意大利半导体（ST）、包尔英特（PI）等晶片制造商，已纷纷推出整合高压MOSFET的LED照明驱动IC为了确保客户LED照明产品出货无虞，同时借机成长LED照明驱动IC的市场版。

恩智浦大中华区照明产品市场经理张伟超指出，高压生产整合MOSFET的LED照明驱动IC，必须有高压制程。然而，由于高压制程的技术门槛太高，并非所有晶片制造商都有能力发展。因此，预计在这一缺货趋势下，恐怕会出现LED照明驱动IC供应商势力消长。

为大举插旗高度整合LED驱动IC王永斌强调，恩智浦已经把高原放在了计划市场上SOI-HV更适合高压制程转换LED照明应用的ABCD3.预计量产将于2013年启动，不仅更适合高压整合MOSFET，同时可以减少泄漏电流，节省泄漏电流LED照明应用不必要的功能，能量产出更高的性价比LED驱动IC产品。

除了加强高压制程技术外，现阶段只有意法半导体和东芝（Toshiba）及英飞凌（Infineon）等少数高压MOSFET因此，为了保证高整合方案的顺利开发，恩智浦也做好了万全备料准备。

张伟超透露，恩智浦预计2012年下半年LED照明市场规模将急速扩张，因此已提早向高压MOSFET从业者购买产品，现在可以保证客户在六到八周内获得高度的整合度LED照明驱动IC计划将在未来缩短到三到四周。此外，恩智浦还计划投资高压MOSFET为了掌握更稳定的供应，制造商。