微发光二极体阵列(Micro LED Array)以定址驱动

宽能隙（Wide Bandgap）氮化镓半导体（GaN）及其相关化合物半导体材料广泛应用于照明和各种光电元件。氮化镓发光二极体（GaN led）发光波长的未来，发光波长将完全取代传统的白炽灯泡和荧光灯作为照明光源。

另一个潜在的光电元件是微光电阵列元件（Micro Optoelectronic Device），这个组件集成成千上万像发光体（Emitter）、侦测器（Detector）、光学开关（OpTIcal Switch）或光波导（OpTIcal Waveguide）在单晶片上等待微型元件。工业研究院预计未来微光电阵列元件将显示和生医感知（Biosensor）、光通信或光纤通信，光互连 （Interconnect）及讯号处理（Signal Process）在该领域发挥重要作用。

微发光二极体阵列（Micro LED Array）以定址驱动技术为显示器，除了具有LED其自发光显示-无背光源，具有节能、机构简单、体积小、反应时间快等优点。Micro LED与同样是自发光的有机发光二极体相比（OLED）材料稳定性好，使用寿命长，无影像烙印等问题，其独特的高亮度特性应用于投影显示，如微投影（Pico ProjecTIon）、头戴式光学透视显示器（See-through HMD）、抬头显示器（Head-up Display，HUD）等等，更有竞争力。另外，奈秒（Nano Second）等级的高速响应特性使LED除了三维(3)D）显示外，作为智能显示器的可视光无线通信功能，可以高速调变和承载信号。

Micro LED技术塬理

Micro LED微显示器的晶片表面必须像LED像显示器一样的阵列结构，每个点画素（Pixel）必须由定址控制，并由单独驱动点亮。如果通过互补金属氧化物半导体（CMOS）电路驱动是主动定位驱动架构，Micro LED阵列晶片与CMOS通过封装技术，如覆晶封装（Flip Chip Bonding）形成电性连接。Micro LED通过整合微透镜阵列（Microlens Array），提高亮度和对比度。Micro LED微显示晶片，Micro LED阵列通过垂直交错的正负格栅电极（P-metal Line N-metal Line）连结每一颗Micro LED正负极通过电极线依次通电，通过扫描点亮Micro LED显示图像。主动驱动显示器比被动矩阵驱动更节能，反应速度更快。向来是高解析显示器主流驱动方式。

1 Micro LED被动定址阵列架构示意和晶片照片

Micro LED迫切需要突破技术挑战

Micro LED（《50微米（